准新解
Interpretation of SJ/T 10630-1995, Antistatic requirements for manufacturing electronic element and device
作 者：杨铭[1];季新月[2];何积浩[1];贾增祥[3];高志良[1]
YANG Ming1 JI Xin-yue2 HE Ji-hao1 JIA Zeng-xiang3 GAO Zhi-liang1（1. Beijing Orient Institute of Measurement and Test; 2.Beijing No. 20 High School; 3.Institute of Telecommunication of Satellite, CAST）
作者机构：[1]北京东方计量测试研究所;[2]北京第二十中学;[3]中国空间技术研
究院通信卫星事业部
出 版 物：标准科学 年 卷 期：2017年 第11期
摘 要：标准SJ/T 10630-1995《电子元器件制造防静电技术要求》规定并规
范了静电放电敏感电子元器件在研制、生产检验中的静电防护技术要求。本文对标准SJ/T 10630中提及的MOS结构与半导体结的静电敏感原因进行了分析,并重点结合国际前沿的Al Ga N/Ga N异质结场效应晶体管的栅极肖特基接触电流电压特性,对标准SJ/T 10630进行了新的解读与分析,建议尽快修订标准SJ/T 10630,以适应越来越高的电子元器件静电敏感度。
页 码：91-94页
主 题 词：SJ/T 10630 电子元器件 静电防护 静电敏感度
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