专利名称：半导体薄膜结晶及半导体器件制造方法专利类型：发明专利
发明人：林家兴,朱芳村,陈宏泽申请号：CN200710169923.X申请日：20071108公开号：CN101271847A公开日：20080924
摘要：本发明提供一种制造半导体组件的方法，其包括提供一衬底，于所述衬底上形成一非晶硅层，于所述非晶硅层上形成一图样化保热层；通过使用所述图样化保热层作为一屏蔽来掺杂所述非晶硅层，以在所述非晶硅层中形成一对掺杂区域，以及照射所述非晶硅层，以活化该对掺杂区域，形成一对活化区域，并在该对活化区域之间形成一结晶区域。
申请人：财团法人工业技术研究院
地址：中国台湾新竹县竹东镇
国籍：CN
代理机构：北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人：戈泊
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