专利名称：内置有二极管的IGBT专利类型：发明专利
发明人：斋藤顺,町田悟,山下侑佑申请号：CN201380076833.X申请日：20130523公开号：CN105378931A公开日：20160302
摘要：当在IGBT中附加分离出上部体区(8a)和下部体区(8b)的势垒层(10)时，电导率调制活化从而导通电阻下降，当附加到达至势垒层(10)的肖特基接触区(6)时，能够实现二极管结构，但会附加经由势垒层(10)和肖特基接触区(6)到达至发射区(4)的电流路径，从而饱和电流增大，短路耐量降低。肖特基接触区(6)与发射区(4)通过上部体区(8a)而被分离，通过选择上部体区(8a)的杂质浓度，从而能够避免饱和电流的增大。或者，也可以在分离肖特基接触区(6)和发射区(4)的范围内附加隔断结构，该隔断结构使从肖特基接触区(6)向上部体区(8a)内延伸的耗尽层和从发射区(4)向上部体区(8a)内延伸的耗尽层不相连。
申请人：丰田自动车株式会社
地址：日本爱知县
国籍：JP
代理机构：北京金信知识产权代理有限公司
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