专利名称:半导体器件及其制造方法、线路板及其制造方法、
半导体封装件和电子装置
专利类型:发明专利
发明人:曾川祯道,山崎隆雄,高桥信明申请号:CN200580040367.5申请日:20051125公开号:CN101076884A公开日:20071121
摘要:端子焊盘被形成在LSI芯片的有效面上,并且复合阻挡金属层被提供在该端子焊盘上。由硅树脂构成的多个低弹性颗粒分散在由NiP构成的金属基相中。复合阻挡金属层的膜厚度例如为3μm,并且低弹性颗粒的直径例如为1μm。通过将焊块键合到复合阻挡金属层,半导体器件被安装在线路板上。从而,低弹性颗粒被允许当半导体器件经由焊块键合到线路板时,根据所施加的应力而变形,因此应力可以被吸收。
申请人:日本电气株式会社,恩益禧电子股份有限公司
地址:日本东京都
国籍:JP
代理机构:北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人:李晓冬
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