（12）发明专利申请
（21）申请号 CN99103598.4 （22）申请日 1999.04.05 （71）申请人 日本电气株式会社
地址 日本东京
（10）申请公布号 CN1231502A （43）申请公布日 1999.10.13
（72）发明人 田原庆一朗
（74）专利代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 穆德骏
（51）Int.CI
H01L21/205; C23C16/44; C23C16/54;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
在半导体晶片上均匀生长薄膜的生长系统及其工艺
（57）摘要
大气压条件下的化学汽相淀积系统,包括
平行延伸用于以间隔传送半导体晶片(15a/15b)的多个网状传送带(12a－12g),位于所述多个网状传送带(12a－12g)上用于加热传送带上的反应区的反应气体注入器(13b),和用于移动多个传送带的驱动机构(12h),其特征在于驱动机构(12h)以不同
的速度移动传送带(12a－12g),以便使每个半导体晶片(15a/15b)在反应区中产生旋转(R),由此均匀地将半导体晶片整个表面暴露于反应气体,这在反应区中产生不同的淀积条件。
法律状态
法律状态公告日
1999-09-15 1999-10-13 2003-07-23
法律状态信息
实质审查请求的生效
公开
发明专利申请公布后的视为撤回
法律状态
实质审查请求的生效 公开
发明专利申请公布后的视为撤回
权利要求说明书
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说明书
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