电磁场与电磁波2014期末复习试题

2014年第一学期《电磁场与电磁波》复习题

一．填空题

2221．已知矢量Aexxeyxyezz，则A=2x2xy2z， A=ezy2。

注：

AAxAyAz2x2xy2z xyzexAxAxeyyAyezexzxAzx2eyyxy2ez(xy2)ezezy2 zxz22．矢量A、B垂直的条件为AB0。

3．理想介质的电导率为0，理想导体的电导率为，欧姆定理的微分形式为JE。 4．静电场中电场强度E和电位φ的关系为E，此关系的理论依据为E0；若已知电位

2xy23z2，在点（1,1,1）处电场强度Eex2ey4ez6。

2注：Eexxeyyezzex2yey4xyez6z

5．恒定磁场中磁感应强度B和矢量磁位A的关系为BA；此关系的理论依据为B0。

6．通过求解电位微分方程可获知静电场的分布特性。静电场电位泊松方程为/，电位拉普拉斯方程为0。

227．若电磁场两种媒质分界面上无自由电荷与表面电流，其E、D边界条件为：enE1E20和enD1D20；B、H边界条件为：enB1B20和enH1H20。

8．空气与介质(r24)的分界面为z=0的平面，已知空气中的电场强度为E1exey2ez4,则介质

中的电场强度E2 exey2ez1。

注：因电场的切向分量连续，故有E2exey2ezE2z，又电位移矢量的法向分量连续，即

040r2E2zE2z1

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所以E2exey2ez1。

9. 有一磁导率为 µ 半径为a 的无限长导磁圆柱，其轴线处有无限长的线电流 I，柱外是空气（µ0 ），

0II则柱内半径为1处磁感应强度B1 =e；柱外半径为2处磁感应强度B2=e。

222110．已知恒定磁场磁感应强度为Bexxeymyez4z,则常数m= -5 。

BxByBz0，所以1m40m5。 注:因为Bxyz11．半径为a的孤立导体球，在空气中的电容为C0=40a；若其置于空气与介质（ε1 ）之间，球心位于分界面上，其等效电容为C1=201a。 解：（1）Er4r2Q0，ErQ40r2，UErdraQ40a ，CQ40a U（2）D1r2rD2r2rQ，

22D1r0D2r1，D1r0Q1QD ，，2r22201r201rE1rE2rQQQ，，C2(01)a UEdr1r201r2U2()a01a12．已知导体材料磁导率为μ，以该材料制成的长直导线单位长度的内自感为

。 813．空间有两个载流线圈，相互 平行 放置时，互感最大；相互 垂直 放置时，互感最小。 14．两夹角为n(n为整数)的导体平面间有一个点电荷q，则其镜像电荷个数为 （2n-1） 。

115．空间电场强度和电位移分别为E、D，则电场能量密度we=ED。

216．空气中的电场强度Eex20cos(2tkz) ，则空间位移电流密度JD= ex400sin2tkz。

注：JDDex200cos(2tkz)ex400sin(2tkz)（A/m2）。 tt17．在无源区内，电场强度E的波动方程为EkcE0。

18．频率为300MHz的均匀平面波在空气中传播，其波阻抗为120()，波的传播速度为 22c(3.0108m/s)，波长为 1m ，相位常数为2(rad/m)；当其进入对于理想介质(εr = 4，μ

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≈μ0)，在该介质中的波阻抗为60()，传播速度为1.510(m/s)，波长为 0.5m ，相位常数为

84(rad/m)。

注：有关关系式为

波阻抗（），相速度v1（m/s），fv，k2（rad/m）

8空气或真空中，0120()，vc310(m/s)。

19．已知平面波电场为EiE0(exjey)ejz，其极化方式为 右旋圆极化波 。

注：因为传播方向为z方向，且ExmEym，x0，y圆极化波。

20．已知空气中平面波Ex,zeyEme9j(6x8z)2，yx20，故为右旋

，则该平面波波矢量kex6ez8 ， 角频率

Em4ex3ezej(6x8z)(A/m) 。 ω=310(rad/s)，对应磁场Hx,z600解：因为kxxkyykzz6x8z，所有kx6，ky0，kz8，k从而kex6ez8，22kxkykz210，

20.2(m)，fvc3108(m/s)，f1.5109(Hz)，k2f3109(rad/s)。相伴的磁场是

H1enE11kEex6ez8eyEmej(6x8z)k12010Em4ex3ezej(6x8z)(A/m)600

21．海水的电导率σ=4S/m，相对介电常数r81。对于f=1GHz的电场，海水相当于 一般导体 。 解：因为

4721 2f0r211091109818136所以现在应视为一般导体。

22．导电媒质中，电磁波的相速随频率变化的现象称为 色散 。

23． 频率为f的均匀平面波在良导体（参数为、、）中传播，其衰减常数α=

f，本征阻抗

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相位为/4，趋肤深度δ=

1f。

24．均匀平面波从介质1向介质2垂直入射，反射系数Γ 和透射系数τ 的关系为1。 25．均匀平面波从空气向r2.25,0的理想介质表面垂直入射，反射系数Γ= -0.2 ，在空气中合成波为 行驻波 ，驻波比S= 1.5 。 解：10120，2121200.2，行驻波， 080，2212r22.25S111.5

26．均匀平面波从理想介质向理想导体表面垂直入射，反射系数Γ= -1 ，介质空间合成电磁波为 驻波 。

27．均匀平面波从理想介质1向理想介质2斜入射，其入射角为θi, 反射角为θr, 折射角为θt ，两区的相位常数分别为k1、k2，反射定律为ri，折射定律为k1sinik2sint。 28．均匀平面波从稠密媒质(ε1)向稀疏媒质(ε2)以大于等于carcsin2斜入射，在分界面产生全反1射，该角称为 临界角 ；平行极化波以barctan斯特角 。

29．TEM波的中文名称为 横电磁波 。

2斜入射，在分界面产生全透射，该角称为 布儒130．电偶极子是指 几何长度远小于波长的载有等幅同相电流的线元 ，电偶极子的远区场是指kr1或r。 二．简答题

1． 导电媒质和理想导体形成的边界，电流线为何总是垂直于边界？

答：在两种不同导电媒质交界面两侧的边界条件为enJ1J20，enE1E20，即J1nJ2n，

E1tE2t，因此

tan1E1t/E1n1/J1n1 tan2E2t/E2n2/J2n2 完美整理

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显然，当1时，可推得20，即电流线垂直于边界。 2．写出恒定磁场中的安培环路定律并说明：磁场是否为保守场？ 答：恒定磁场中的安培环路定律为

CHdlJdSS，由斯托克斯定理可得

CHdlHdSJdS，因此HJ不恒为零，故不是保守场。

SS3．电容是如何定义的？写出计算双导体电容的基本步骤。

答：电容是导体系统的一种基本属性，是描述导体系统储存电荷能力的物理量。孤立导体的电容定义为所带电量q与其电位 的比值；对于两个带等量异号电荷（q）的导体组成的电容器，其电容为q与两导体之间的电压U之比。

计算双导体的步骤为：①根据导体的几何形状，选取合适的坐标系；②假定两导体上分别带电荷+q和-q；③根据假定的电荷求出E ; ④由U21Edl求出电压; ⑤由Cq求出电容C。 U4．叙述静态场解的惟一性定理，并简要说明其重要意义。 答：静态场解的惟一性定理：在场域V 的边界面S上给定或域V 具有惟一值。

惟一性定理的重要意义：①给出了静态场边值问题具有惟一解的条件；②为静态场边值问题的各种求解方法提供了理论依据；③为求解结果的正确性提供了判据。 5．什么是镜像法？其理论依据是什么？如何确定镜像电荷的分布？

答：在适当的位置上，用虚设的电荷等效替代分布复杂的电荷的方法称为镜像法。镜像法的理论依据是唯一性定理。

确定镜像电荷的原则为：①所有的镜像电荷必须位于所求场域之外的空间中；②镜像电荷的个数、位置及电荷量的大小以满足原边界条件来确定。

6．分别写出麦克斯韦方程组的积分形式、微分形式并做简要说明。 答：积分形式：

的值，则泊松方程或拉普拉斯方程在场nDHdlJdSdSC闭合曲线为周界的任意曲面的传导电流与位移电流之和。 SSt第二方程说明：电场强度沿任意闭合曲线的环量，等于穿过以该EdlBdS StC闭合曲线为周界的任意曲面的磁通量变化率的负值。 BdS0S第三方程说明：穿过任意闭合曲面的磁感应强度的通量恒等于0。 DdSdVVS第四方程说明：穿过任意闭合曲面的电位移的通量等于该闭合面

第一方程说明：磁场强度沿任意闭合曲线的环量，等于穿过以该

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包含的自由电荷的代数和。

微分形式：

DHJtEB tB0D第一方程对安培环路定理进行修正，表征电流与变化的电场都是磁场的漩涡源；

第二方程为电磁感应定律，说明变化的磁场产生电场； 第三方程说明磁场为无散场； 第四方程说明电荷为电场的源。

7．写出坡印廷定理的积分形式并简要说明其意义。 答：坡印廷定理的积分形式为

d11(EH)dS(EDHB)dVEJdV SVdtV22物理意义：单位时间内，通过封闭曲面S 进入体积V的电磁能量等于体积V 中所增加的电磁场能量与损耗的能量之和。坡印廷定理是表征电磁能量守恒关系的定理。

d11(EDHB)dV—— 单位时间内体积V 中所增加的电磁能量。 Vdt22 EJdV——时间内电场对体积V中的电流所作的功；在导电媒质中，即为体积V内总的损耗功率。

VS(EH)dS—— 通过曲面S 进入体积V 的电磁功率。

8．什么是波的极化？说明极化分类及判断规则。

答：电磁波的极化是指在空间给定点处，电场矢量的端点随时间变化的轨迹，分为线极化、圆极化和椭圆极化三类。

电磁波的极化状态取决于Ex 和Ey 的振幅Exm、Eym和相位差φ＝φy－φx，对于沿+ z 方向传播的均匀平面波：

线极化： φ = 0、± ，φ = 0，在1、3象限，φ = ±  ，在2、4象限； 圆极化：Exm = Eym，φ = ± /2，取“＋”，左旋圆极化，取“－”，右旋圆极化； 椭圆极化：其它情况，φ ＞0，左旋，φ ＜0，右旋。 9．分别定性说明均匀平面波在理想介质中、导电媒质中的传播特性。 答：均匀平面波在理想介质中的传播特性：

①电场、磁场与传播方向之间相互垂直，是横电磁波； ②电场与磁场振幅不衰减；

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③波阻抗为实数，电场磁场同相位； ④电磁波的相速与频率无关，无色散； ⑤平均磁场能量密度等于平均电场能量密度。 均匀平面波在导电媒质中的传播特性：

①电场、磁场与传播方向之间相互垂直，是横电磁波； ②电场与磁场振幅呈指数衰减； ③波阻抗为复数，电场与磁场不同相位； ④电磁波的相速与频率有关，有色散； ⑤平均磁场能量密度大于平均电场能量密度。 10．简要说明行波、驻波、行驻波之间的区别。

答：行波是其振幅不变的波，反射系数0，驻波系数S1；驻波的振幅有零点（驻点），在空间没有移动，只是在原来的位置振动，反射系数||1，驻波系数S；而行驻波则是其振幅在最大值和不为零的最小值之间变化，反射系数0||1，驻波系数1S。 11．简要说明电偶极子远区场的特性。 答：电偶极子远区场的特性：

①远区场是横电磁波，电场、磁场和传播方向相互垂直； ②远区场电场与磁场振幅比等于媒质的本征阻抗； ③远区场是非均匀球面波，电磁场振幅与1/r 成正比； ④远区场具有方向性，按 sinθ变化。 三、分析计算题

a101．电场中有一半径为a的圆柱体，已知圆柱体内、外的电位函数为：a22A()cos求①圆柱体内、外的电场强度；②柱表面电荷密度。 （提示：柱坐标 uea

uuueez ） z解：①圆柱体内的电场强度为

E110

圆柱体外的电场强度为

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222E22eeezz

22aaeA1coseA122sin②柱表面电荷密度为

SenD2D1ae0E2a2Acos

2． 同心球形电容器的内导体半径为a、外导体半径为b，其间填充介电常数为ε的均匀介质。已知内导体球均匀携带电荷q。求：①介质内的电场强度E ②该球形电容器的电容。

解：① 高斯定理

DdSq,得Dqq,Eer(3分) 224r4r② 内外导体间电压：

UEdrab11qba ()4ab4abq由电容的定义Cq，得到 UCq4ab Uba3． 空气中有一磁导率为 µ半径为a 的无限长均匀导体圆柱，其轴线方向电流强度为 I，求圆柱内外的

磁感应强度B和磁场强度H。

解：由HdlI可得圆柱内外的磁场强度都是

CHe而圆柱内外磁感应强度是

I2

eBeI20I2a

a4．矩形线圈长与宽分别为a、b，与电流为i的长直导线放置在同一平面上，最短距离为d，如图。①已

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知i=I，求：长直导线产生的磁场；线圈与导线间的互感。②已知导线电流i(t)=I0cosωt，求：导线产生的磁场；线圈中的感应电动势。

解：①电流i=I产生的磁场：

Be穿过矩形线圈的磁通量是

db0I 2BdSSd0IIadb ad0ln22d故线圈与导线间的互感为

MI0adbln 2d②导线电流i(t)=I0cosωt产生的磁场：

Be穿过矩形线圈的磁通量是

db0I0cost 2BdSSd0I0Iadbcostad00lncost 22d线圈中的感应电动势

Iadb00lnsint t2d上式中约定感应电动势的方向是顺时针。

5．一点电荷q放置在无限大的导体平面附近，高度为h。已知空间介质的相对介电常数εr=2，求①点电荷q受到的电场力；②高度为4h的P点的电场强度与电位。

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解：镜像法，确定镜像电荷q’的位置如图和大小q’=-q 。

①

Fey②

qq4qeyey2240(4hh)40(4hh)2250h2 qqq1240(4hh)40(4hh)300hEE1E2eyq(q)q2 ey2240(2h)160h

6．已知半径为a的导体球带电荷量为Q ，距离该球球心f=4a处有一点电荷q，求q受到的电场力。

aaqa2a2a',d 解：qqqdf4df4'则q受到的电场力为

FqexQ(q)qe/40f2xq/qQq31q2ex() /22240(fd)640a576000a7．海水的电导率σ=4S/m，相对介电常数 r81。设海水中电场大小为EEmcost，求频率f=1MHz时，①海水中的传导电流密度J; ②海水中的位移电流密度JD。 解：①JE4Emcost

②DE0rEmcost810Emcost

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D1810Emsint8110921106Emsint1.458Emsint t368．、在理想介质 (r2.25,r1)中均匀平面波电场强度瞬时值为：Ez,tex40cos(t-kz)。已知

JD该平面波频率为10GHz，求：①该平面波的传播方向、角频率、波长、波数k；②电场强度复矢量；③磁



S场强度瞬时值；④平均能流密度矢量av。

解：① 传播方向：+z；2f21010210(rad/s)；

910fvk21100rcr3108v21080.02(m) 210；9f10102.2582100(rad/m)。 0.02② E(z)ex40ejkz(V/m) ③ 0120080() ，0rr2.251H(z)ezE(z)ey40jkz1jkz1eeye(A/m)；H(z,t)eycos(tkz)(A/m) 8022**11110jkzjkzeyeez(W/m2) ④ SavReEHReex40e22219．已知自由空间中均匀平面波磁场强度瞬时值为：Hx,z,teycos[t-(3x4z)] A/m，求①该

3平面波角频率、频率f、波长 ②电场、磁场强度复矢量③瞬时坡印廷矢量、平均坡印廷矢量。 解：① kxxkyykzz3x4z；kx3，ky0，kz4；

22kkxkykz2(3)2(4)25(rad/m)；k2，20.4(m) k31087.5108(Hz)；2f15108(rad/s) ，ffvc（因是自由空间）

0.4c② H(x,z)ey1j(3x4z)e(A/m)； 3k1j(3x4z)ex3ez4120eye k35E(x,z)H(x,z)enH(x,z)（ex32ez24)ej(3x4z)

(V/m)③ E(x,z,t)ex32ez24cost(3x4z)(V/m)

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Word格式

1Hx,z,teycos[t-(3x4z)]（A/m）

31SEHex32ez24cost(3x4z)eycos[t-(3x4z)]3

122ex24ez32cost(3x4z)(W/m)3E(x,z)ex32ez24ej(3x4z)，H(x,z)eySav1j(3x4z) e3**111j(3x4z)j(3x4z)ReEHRee32e24eeezyx223 1ex24ez32(W/m2)610．均匀平面波从空气垂直入射到某介质(ε=εrε0，μ≈μ0),空气中驻波比为3，分界面为合成电场最小点，求该介质的介电常数ε。 解：S3，S11，S1310.5；分界面为合成电场最小点，0，0.5 S131001r2100r10，20.5，r9 ，0rr02101rrjzE11．已知空气中均匀平面波电场强度的复数表示为z,texE0e，由z<0区域垂直入射于z>=0区域

的理想介质中，已知该理想介质εr = 4，μ≈μ0，求①反射波的电场强度、磁场强度；②透射波电场强度、磁场强度。③z<0区域合成波的电场强度、磁场强度并说明其性质。 解：① EiexE0ejz，Hi10ezexE0ejzeyE00ejz

10，20122122 2，00，2210321030r2r00221E0ejz，3E0jz1(ez)exE0ejzeye 0336010020ErexE0ejzexHr1(ez)Er0② 200r2

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EtexE0ejk2zexHt③

2E0ej2z 3112(ez)EtE2(ez)exE0ej2zey0ej2z 2903E1exE0ejzexE0jz1112eexE0ejzejzexE0ejzejzejz3333322exE0ejzcosz33H1eyeyE0jzE0jzE0eeyeey120360120E012022jzejsinz33E0jz1jzeeey3120

2jz1jz1jzeee3331132  行驻波，驻波系数S1113112．已知空气中均匀平面波电场强度的复矢量表示为EizexE0ejz，垂直入射于z=0的理想导体板上，求①反射波电场强度、磁场强度复矢量；②导体板上的感应电流密度；③真空中合成电场强度的瞬时值表示式并说明合成波特性。 解：①EizexE0ejz，Hi10ezexE0ejzey1E00ejz

1Erex(1)E0ejzexE0ejz，Hr②

0(ez)Er0(ez)exE0ejzeyE0jze 120E1EiErexE0ejzexE0ejzexj2E0sinz

H1HiHreyE0jzE0jzEeeyeey0cosz 12012060E0Eex0 6060xJsenH1z0ezeyjt③ E1(z,t)ReE1e合成电磁波为驻波。

e2Esinzcoste2Esinzsint

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13．已知均匀平面波由空气向位于z=0平面的理想导体表面斜入射。已知入射波电场强度为

Eix,zey20ej(x3z)，在下图中画出入射波和反射波场强与磁场强度方向并判断该平面波为平行极

化波还是垂直极化波。并求：①波矢量ki ②平面波频率③入射角④反射波电场强度⑤反射波磁场强度⑥

空气中合成电场强度。

解：垂直极化波。

①kixxkiyykizzx3z；kix1，kiy0，kiz②ki222kixkiykiz132，ki3；kiexez3

2，2c3，fc，f108(Hz) ki③ 因为kixkisini，所以sinikix1，i300 ki26④1，krexez3，krrx3z

Erx,zey20ej(x⑤

3z)

Hr ⑥

10erEr1exez3ey20ej(x023z10e0x3ezej(x3z)

E1EiErey20ej(x

3z)ey20ej(x3z)eyj40ejxsin3z

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