ITO表面改性对有机电致发光器件性能的影响

维普资讯 http://www.cqvip.com 第３６卷第５期　电子科技大学学报　、，ｂ１．３６　Ｎｏ．５　２００７年ｌ０月　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ　ｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　ｏｆＣｈｉｎａ　０ｃｔ．２００７　・光电学工程与应用・　ＩＴＯ表面改性对有机电致发光器件性能的影响　黎威志，季兴桥，阳　秀，钟志有，蒋亚东　（电子科技大学光电信息学院成都６１００．５４）　【摘要】采用乙醇、氧等离子、ＮａＯＨ、浓硫酸分别时氧化铟锡薄膜进行了处理；利用原子力显微镜、ｘ谢线光电子能　谱、接触角测试仪对处理后薄膜的表面形貌、化学组分及表面能进行了研究．实验结果表明经浓硫酸和ＮａＯＨ处理后的氧化铟　锡薄膜表面具有较低的粗糙度、较小的表面颗粒半径、较低的碳污染以及较高的表面能；另外，以不同材料处理的氧化钢锡　基片为阳极采用真空热蒸发法制备了双层结构发光器件ＩＴＯ／ＮＰＢ／ＡＩＱ／Ｍｇ：Ａｇ／Ａｇ，并对器件的电流一电压　、亮度一电压　特性以及效率（　）进行了测试和分析，结果表明乙醇处理基片做制备器件性能最差，而经浓硫酸、ＮａＯＨ处理后的氧化铟锡基　片所制备的双层器件的光电性能优于氧等离子处理，其启亮电压更低，发光亮度及效率更高．　关键词氧化铟锡；有机发光二极管；表面能：表面改性　中图分类号Ｏ４７２　．９１　文献标识码Ａ　Ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ　ｏｆ　Ｓｕｒｆａｃｅ　Ｍｏｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ　ｏｆ　ＩｎｄｉｕｍＴｉｎ　Ｏｘｉｄｅ　ｏｎ　Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｏｆ　Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅｓ　ＬＩＷｅｉ－ｚｈｉ，ＪＩＸｉｎｇ－ｑｉａｏ，ＹＡＮＧＸｉｕ，ＺＩ－ＩＯＮＧＺｈｉ－ｙｏｕ，ＪＩＡＮＧＹａ－ｄｏｎｇ　（Ｓｃｈｏｏｌ　ｏｆＯｐｔｏ－Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ，Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ　Ｅｌｅｔｒｏｎｉｃ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　ｏｆＣｈｉｎａ　Ｃｈｏｎｇｄｕ　６１００５４）　Ａｂｓｔｒａｃｔ　Ｓｕｒｆｃａｅ　ｏｆ　Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ（ｉＴｏ）ｆｉｌｍｓ　ｏｎ　ｇｌａｓｓ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ　ｗｅｒｅ　ｔｒｅａｔｅｄ　ｂｙ　ｅｔｈａｎｏｌ，ｏｘｙｇｅｎ　ｐｌｓａｍａ，ＮａＯＨ，ａｎｄ　ｓｕｌｆｕｒｉｃ　ａｃｉｄ，ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙ　ａｎｄ　ｔｈｅｎ　ａｎａｌｙｚｅｄ　ｂｙ　Ａｔｏｍｉｃ　Ｆｏｒｃｅ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ（ａｒＭ），Ｘ—ｒａｙ　Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ（ｘＰｓ）ａｎｄ　ｇｏｎｉｏｍｅｔｅｒ．Ｒｅｓｕｌｔｓ　ｓｈｏｗ　ｔｈａｔ　ＩＴＯ　ｉｆｌｍｓ　ｔｒｅａｔｅｄ　ｙｂ　ｓｕｌｆｕｒｉｃ　ａｃｉｄ　ｎａｄ　ＮａＯＨ　ｈａｖｅ　ｌＯＷ　ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ，ｓｍａｌｌ　ｇｒａｎｉ　ｒａｄｉｕｓ，ｌＯＷ　ｃｏｎｔａｍｉｎａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｃａｒｂｏｎ，ａｎｄ　ｈｉｈｇ　ｓｕｒｆａｃｅ　ｅｎｅｒｇｙ．Ｄｏｕｂｌｅ　ｌａｙｅｒ　Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ－Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅｓ（ＯＬＥＤｓ）：ＩＴＯ／ＮＰＢ（１５　ａｍ）／ＡＩＱ（４ｏ　ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ（１０：１，１００　ｎｍ）／Ａｇ（５０　ｎｍ）　ｗｅｒｅ　ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ　ｏｎ　ｓｕｂｓｌｒａｔｅｓ　ｔｒｅａｔｅｄ　ａｂｏｖｅ．Ｃｕｒｒｅｎｔ－ｖｏｌｔａｇｅ　，ｂｒｉｈｇｔｎｅｓｓ－ｖｏｌｔａｇｅ　－　，ａｎｄ　ｅｉｆｃｉｅｎｃｙ（，７）　ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ　ｏｆ　ｈｔｅｓｅ　ｄｅｖｉｃｅｓ　ｗｅｒｅ　ｍｅａｓｕｒｅｄ　ａｎｄ　ｄｉｓｃｕｓｓｅｄ　ｉｎ　ｄｅｔａｉｌｓ．Ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ　ｒｅｓｕｌｔｓ　ｓｈｏｗ　ｔｈａｔ　ｄｅｖｉｃｅｓ　ｂａｓｅｄ　ｏｎ　ＮａＯＨ－ｒｔｅａｔｅｄ　ａｎｄ　ｓｕｌｆｕｒｉｃ－ａｃｉｄ－ｒｔｅａｔｅｄ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ　ｈａｖｅ　ｂｅｔｔｅｒ　ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｃｏｍｐａｒｉｎｇ　ｗｉｈｔ　ｏｘｙｇｅｎ－ｐｌｓａｍａ－ｒｔｅａｔｅｄ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ，ｎａｍｅｌｙ　ｌｏｗｅｒ　ｔｕｒｎ－ｏｎ　ｖｏｌａｔｇｅ，ｈｉｈｇｅｒ　ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ　ｂｒｉｈｇｔｎｅｓｓ　ｎａｄ　ｈｉｈｇｅｒ　ｅｆｉｆｃｉｅｎｃｙ．　Ｋｅｙ　ＷＯｒｄｓ　ｉｎｄｉｕｍ　ｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ；ｏｒｇａｎｉｃ　ｌｉｈｇｔ－ｅｍｉｔｔｎｉｇ　ｄｉｏｄｅｓ；ｓｕｒｆａｃｅ　ｅｎｅｒｇｙ；ｓｕｒｆａｃｅ　ｍｏｄｉｉｆｃａｔｉｏｎ　氧化铟锡（Ｉｎｄｉｍｕ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ，ＩＴｏ）导电薄膜由于　这些处理方式包括两大类：湿法处理和干法处理。　具有良好的导电性及在可见光范围内高的透过率而　前者是通过不同的有机溶剂在ＩＴＯ表面键合新的基　在光电领域（如液晶显示、太阳能电池）等方面得到广　团来达到改性目的；后者一般采用各种电离气体等　泛应用：同样由于其优良的光电性能，ＩＴＯ导电薄膜　离子体傅【气、氮气、氩气等）对ＩＴＯ薄膜进行溅射清　在有机电致发光二极管（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｈｇｔ　Ｅｍｉｔｎｉｇ　洗，达到去除薄膜表面污染和改善表面形貌的目的。　Ｄｉｏｄｅ，ＯＬＥＤ）￣＇作为器件的阳极材料ｌｌ　。众　氧等离子处理被认为是最有效的处理方式ｌｌ卜　２１，因　多研究表明，ＩＴＯ薄膜的表面性质，如电阻、晶粒大　为处理后的ＩＴＯ功函数的提高降低了空穴注入势垒。　小、表面形貌等对ＯＬＥＤｓ器件性能（如发光亮度、效　在表面处理方法中，采用无机溶液处理的报道相对　率、稳定性等）有重要影响【５．　０１。因此人们尝试各种　较少，本文采用有机溶剂（乙醇）、酸（浓硫酸）、碱　处理方法对ＩＴＯ薄膜表面进行改性以提高器件性能。　（ＮａＯＨ）和氧等离子分别对ＩＴＯ薄膜进行处理，并对　收稿日期；２００５—０９—１６　基金项目ｌ国防预研基金资助项Ｉ￣（５１４０２０４０２０５）　作者简介ｔ黎威志（１９７８一），男，博士生。主要从事有机光电材料与器件方面的研究．　维普资讯 http://www.cqvip.com 维普资讯 http://www.cqvip.com 第５期　黎威志等：　ＩＴＯ表面改性对有机电致发光器件性能的影响　５７　的电导，这相当于提高了同样电压下的载流子注入　水平而改善器件性能。　表ｌ还列出了各基片经不同方式处理后的表面　能。可以看出，处理方式不同，ＩＴＯ表面能也有所不　同，表面能从１　到４　依次增加。固体表面能是反映　液体在其上的浸润性的重要参数，表面能越大表明　液体在表面的浸润性越好。另外表面能还反映了表　面附着有其他杂质微粒的情况，表面能越大说明表　面杂质微粒越少。可以预见经过后面三种方式处理　后，在制备ＯＬＥＤｓ器件时，有机功能层在ＩＴＯ膜表面　的附着性将比乙醇处理后好得多，这样就大大增加　了二者之间的接触面积，从而增加了注入到有机层　中的空穴载流子。　２．２　ＯＬＥＤｓ器件的Ｊ－Ｖ、Ｂ－Ｖ特性测试结果　所测试双层器件ＩＴＯ／ＮＰＢ／Ａ１Ｑ／Ｍｇ：Ａｇ／Ａｇ￣Ｊ－Ｖ　及　性曲线如图２所示。从　性可以看出，乙　醇处理的ｌ　基片制备的器件在低电压时（＜６　Ｖ），电流　随电压呈不规整的变化：初始电流很大，达到每平　方厘米数十毫安，到５、，左右达最大（６０　ｍＡ／ｃｍ２），然　后急剧减ｔ＃￣ｌＪ２０　ｍＡ／ｃｍ　左右，从６．５　Ｖ开始又稳步　上升。一般说来，ＯＬＥＤｓ器件在启亮电压之前其电　流应该非常小，￣ｌ／Ａ／￣ｍ　量级。１　器件初始的大电　流起因之一可能是ＩＴＯ表面随机附着的污染物导致　了有机层在其上的附着很不均匀，某些很薄的局部　出现高电场，器件电流的主要部分，即大部分载流　子，以隧穿方式通过这些高场区直接到达被电极中　和掉而并未注入到有机发光层参与复合，因此这时　虽然器件有较大电流但无发光；当电流增大到一定　程度，释放出来的焦耳热使得高场区对应的有机层　晶化甚至烧毁，该处的两电极分离形成断路，隧穿　因此截止。隧穿的截止使得整个器件的电流大大降　低，这时才开始有载流子注入到发光层，而电流一　电压关系也开始体现出二极管特性：另一方面，Ｉ１．０　薄膜本身较大的Ｒｐ－Ｖ距离对于产生这样的高场区也　是一个重要的因素，在大的峰值（１　的Ｒｐ－ｖ距离达２５　ｉｌｍ，该数值几乎为整个有机层的一半厚度）处的有机　层厚度可能只有其他区域有机层厚度的几分之一，　这样的区域就很容易出现高电场下的载流子隧穿现　象，甚至该处的有机层出现针孔而造成器件短路。　与ｌ　器件相比，２　、３　、４　器件的　舛等性表现　为典型的二极管特性。在整个测试范围内，电流随　电压呈平滑的变化，反映了器件稳定的电学性能。　三器件中，４　的开启电压最低（３．５　Ｖ），接下是２　（４　ｖ）　和３撑（４．５　Ｖ）。可见，它们的开启电压都明显比１撑（６　Ｖ）　小。不过随着电压的升高，２　、３　的亮度　随电压　的增加速率要快于４　。１＂－７．５　Ｖ时，２　、３　器件的亮　度（分别为６３２、４９０　ｃ．ｄ／ｍ　）已超过￣（４ｏｏ　ｃｄ／ｍ　）；　Ｖ－－－９．５　Ｖ时，３　器件的亮度为ｌ　７８０　ｃｄ／ｍ２，这时已经　超过２撑器件（１　７００　ｃｄ，ｍ２）而为最大。在测试范围内　（　０～１　Ｖ），四个器件的最大亮度从高到低依次为　３　、２　、４　、１　（３　５００、２　７５６、２　１００、６７０　ｃｄ／ｍ２）。　经计算，它们对应的发光效率依次为３．２、２．６、２．５、　０．３　ｃｄ／Ａ，如表２所示。　表２给出了各器件的主要光电性能参数。从表中　给出的数据可见，以浓硫酸、ＮａＯＨ处理后的ＩＴＯ薄　膜为阳极的ＯＬＥＤｓ器件具有较低的启亮电压、较高　的发光亮度和效率，其性能优于氧等离子处理。　；　吾　ｂ．Ｂ－　能对比　图２不同处理基片所制各器件的　．　能对比　表２不同处理基片所制备器件的光电性能参数　（下转第９６１页）　维普资讯 http://www.cqvip.com

第５期　阳　秀等：空穴传输层厚度对ＯＬＥＤ性能的影响　９６ｌ　穴传输层厚度为１　５　ｎｍ时，双层器件有较佳的器件性　ｃｈａｒｇｅ　ｃ￣ｒｉｅｒｓ　ａｎｄ　ｍｏｌｅｃｕｌｒａ　ｅｘｃｉｔｉｏｎｓ　ｗｉｔｈｉｎ　５　ｎｍ　ｔｈｉｃｋ　能，其起亮电压最低，发光亮度和发光效率最高。　ｅｍｉｔｅｒ　ｌａｙｅｒ　ｉｎ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｃｅｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ　ｄｅｖｉｃｅｓ　ｗｉｔｈ　ａ　ｄｏｕｂｌｅ　ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ［Ｊ］．Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ　Ｌｅｔｔ，ｌ　９９０，５７（１　３）：　５３１—５３３．　参考文献　『７１　ＦＯＲＲＥＳＴ　Ｓ＆Ｂ　Ｕ］ＲＲＯＷＳ　Ｐ　Ｅ，１ＨＯＭＰＳｏＮ　Ｍ　Ｅ．　『ｌ　１　ＴＡＮＧ　Ｃ　Ⅵ　Ｓ　ＫＥ　Ｓ　Ａ．Ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｃｅｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｅｎｔ　Ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｍｉｔｅｒｓ　ｐｒｏｍｉｓｅ　ａ　ｎｅｗ　ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｄｉｓｐｌａｙｓ［Ｊ］　ｄｉｏｄｅｓ［Ｊ］．Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ　Ｌｅｔｔ，１９８７，５１（１２）：９１３—９１５．　Ｌａｓｅｒ　Ｆｏｃｕｓ　ｗ０ｒｉｄ．１９９５．３　ｌ：９９－ｌ０７．　『２１　ＢＥＲＴＨＥＬＯＴ　Ｌ，１．ＡＲＤＹ　Ｊ＇ＭＡＳＥＮＥＬＬＩ　Ｂ。　ｅｔ　ａ１．　【８】ｓ｝玎ＢＮ　Ｊ，ＷＡＮＧ　Ｄ，ＬＡＮＧＬＯＩＳ　Ｅ，ｅｔ　ａ１．Ｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎ　ＰＶＫ－ＡＩｑ１　ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ　ｄｉｄｏｅｓ：Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ　ｍｅｃｈａｎｉｓｍｓ　ｉｎ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｌｉｈｇｔ　ｅｍｉｔｉｎｇ　ｄｉｄｏｅｓ［Ｊ］．Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ　ｐｒｏｐｅｔｒｉｅｓ　ａｎｄ　ｃｏｌｏｒ　ｔｕｎｉｎｇ　ｖｉａ　ＰＶＫ　ｄｏｐｉｎ烈Ｊ１．ＳＰＩＥ，１　９９９，　Ｍｅｔａｌｓ．２０００．１ｌ　１．１ｌ　２：２３３．２３６．　３７９７：４０８－４ｌ６．　『９１　ＭＯＲＩ　ＯＢＡＴＡ　Ｋ。　ＭＩＺＵ１：ＡＮＩ　ｅｔ　ａｌ　ｆ３１　ＢＵＬＯＶＩＩ￣Ｖ＇ＴＩＡＮ　Ｐ＇ＢＵＲＲＯＷＳ　Ｐ　Ｅ，ｅｔ　ａ１．Ｓｕｒｆａｃｅ　Ｅｌｃｅｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ　ｏｆ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｌｉｈｇｔ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅｓ　ｗｉｔｈ　ｅｍｉｔｉｎｇ　ｖａｃｕｕｍ　ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｌｉｇｈｔ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｅｖｉｃｅ［Ｊ］．　ａｌｔｅｒｎａｔｅｌｙ　ｄｅｐｏｓｉｔｄｅ　ｄｙｅ－ｄｏｐｅｄ　ａｌｕｍｉｎｉｕｍ　ｑｕｉｎｏｌｉｎｅ　ａｎｄ　Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ　Ｌｅｔｔ，１　９９７，７０（２２）：２９５４－２９５６．　ｄｉａｍｉｎｅ　ｄｅｒｉｖａｔｉｖｅ［Ｊ］．Ｊｏｕｎａｌ　ｏｆ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｄ，１　９９９，３２：　【４】ＸＵ　ＰＥＮＧ　Ｊ，ＭＯ　ｅｔ　ａ１．、Ⅳｈｉｔｅ　ｐｏｌｙｍｅｒ　ｌｉｈｇｔ—ｅｍｉｔｉｎｇ　ｌｌ９８一ｌ２ｏ３．　ｄｉｄｏｅｓｗｉｔｈ　ｂｉｌａｙｅｒ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ［Ｊ］．ＳＰＩＥ，２００５，４　６４ｌ：ｌ７２．１７７．　【ｌ０】ＢＡＲＴＨ　Ｓ，ＭＵＬＬＥＲ　Ｐ’ＲｌＥＬ　Ｈ，ｅｔ　ａ１．Ｅｌｃｅｔｒｏｎ　ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ　ｆ５】ＹＥＲＳｌＮ　Ｈ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ　ｔｒｉｐｌｅｔ　ｅｍｉｔｅｒｓ　ｆｏｒ　ＯＬＥＤ　ｉｎｔｏ　ａｎ　Ａｌｑ３　ｓｎｉｇｌｅ—ｌａｙｅｒ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｌｉｈｇｔ—ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅ［Ｊ］　ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ：Ｃｏｎｔｒｏｌｌｉｎｇ　ｏｆｅｍｉｓｓｉｏｎ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｂｙ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｓｙｎｔｈ　Ｍｅｔ，２０００．１ｌ　ｌ：３２７．３３０．　ｖａｒｉａｔｉｏｎ［Ｊ］．ＳＰＩＥ，２００４，５　２１４：１２４・１３２．　ｆ６】ＣＨＩＨＡｙＡ　Ａ，ＴＥＴＳＵＯ　ＳＨＯＧＯ　Ｓ．Ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ　ｏｆ　编辑漆蓉　（上接第９５７页）　ｏｆ　ｉｎｄｉｍｕ　ｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ　ｂｙ　ｐｌａｓｍａ　ｔｒｅａｔｍｅｎｔ：Ａｎ　ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ　３结论　ｍｅｈｔｏｄ　ｔｏ　ｉｍｐｒｏｖｅ　ｔｈｅ　ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ，ｂｒｉｈｇＩ￣ｌｅｓｓ，ａｎｄ　ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ　本文采用乙醇、氧等离子、ＮａＯＨ、浓硫酸对ＩＴＯ　ｏｆｏｒｇａｎｉｃ　ｌｉｈｇｔ　ｅｍｉｔｎｉｇ　ｄｅｖｉｃｅｓ［Ｊ］．Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．１９９７．　７０：ｌ３４８．１３５０．　薄膜进行了处理，对不同处理的ＩＴＯ基片进行ＡＦＭ、　【７１　ＭＯＲＪ　，Ａ　Ｈ，ＦＵＪＩＴＡ　Ｍ．Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ　ａｎｄ　ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ　ＸＰＳ及表面能的分析。结果表明，经浓硫酸、ＮａＯＨ　ｐｒｏｐｅｒｔｙ　ｃｈａｎｇｅ　ｏｎ　ｔｈｅ　ａｎｎｅａｌｉｎｇ　ｏｆ　ａｍｏｒｐｈｏｕｓ　处理后的ＩＴＯ基片具有较小的粗糙度、适当的表面颗　ｎｉｄｉｕｍ－ｏｘｉｄｅ　ｎａｄ　ｎｉｄｉｍｕ．ｔｎｉ．ｏｘｉｄｅ　ｔｈｉｎ　ｉｆｌｍｓ［Ｊ］．Ｔｈｉｎ　Ｓｏｌｉｄ　Ｆｉｌｍｓ．２０００．３５９：６　１．６７．　粒半径、较小的碳污染以及较大的表面能。浓硫酸　【８１　ＫＵＬＫＡＲＮＩ　Ａ　Ｋ，ＳＣＨＵＬＺ　Ｋ　Ｈ，ＬＩＭ　Ｔ　Ｓ，ｅｔ　ａ１　．处理后器件性能的提高还归因于氧空位的增加提高　Ｄｅｐｅｎｄｅｎｃｅ　ｏｆ　ｈｔｅ　ｓｈｅｅｔ　ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ　ｏｆ　ｉｎｄｉｍｕ－ｔｉｎ—ｏｘｉｄｅ　ｔｈｉｎ　了ＩＴＯ薄膜的导电性能。通过对比不同器件的性能，　ｉｆｌｓｍ　ｏｎ　ｇｒａｉｎ　ｓｉｚｅ　ａｎｄ　ｇｒａｉｎ　ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ　ｄｅｔｅｒｍｉｎｅｄ　ｆｒｏｍ　Ｘ—ａｒｙ　ｄｉｆｒａｃｔｉｏｎ　ｔｃｅｈｎｉｑｕｅｓ［］Ｊ．１＇ｈｉｎ　Ｓｏｌｉｄ　Ｆｉｌｍｓ，１９９９，３４５　证实了酸、碱处理方式后的ＩＴＯ基片制备的ＯＬＥＤｓ　２７３．２７７．　’　器件具有较低的开启电压、较高的发光亮度和效率。　ｆ９１　ＬＯＷ　Ｂ　Ｌ，删Ｆ　Ｒ　Ｚ｝　ＮＧ　Ｋ　Ｒ　ｅｔ　ａｌ　Ａｎ　ｎｉ　ｓｉｔｕ　ｓｈｅｅｔ　ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ　ｓｔｕｄｙ　ｏｆ　ｏｘｉｄａｔｉｖｅ—ｔｒｅａｔｅｄ　ｉｎｄｉｕｍ　ｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ　参考文献　ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ　ｆｏｒ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｌｉｈｇｔ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｓｐｌａｙ　ａｐｐｌｉａｃｔｉｏｎｓ［Ｊ］　Ｔｈｉｎ　Ｓｏｌｉｄ　Ｆｉｌｍｓ．２００２，４１７：ｌ１６一ｌ１９．　【１１　ＴＡＮＧ　Ｃ　ｗ，ＶＡＮＳＬＹＫＥ　Ｓ　Ａ．Ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｃｅｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ　【１０１ＴＡＫ　Ｙ－Ｈ，ｌ（ＩＭ　Ｋ．Ｂ，ＰＡＲＫ　Ｈ—Ｇ　ｅｔ　ａ１．Ｃｒｉｔｅｒｉａ　ｆｏｒ　ｌＴＯ　ｄｉｄｏｅｓ［Ｊ］．Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，１９８７，５１（１２）：９１３—９１５．　【２】ＫＩＤＯ　Ｊ，ＬＩＺＵＭＩ　Ｙ　Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｈｉｉｈｇｌｙ　ｅｆｉｆｃｉｅｎｔ　ｏｒｇａｎｉｃ　（ｉｎｄｉｍｕ－ｔｉｎ－ｏｘｉｄｅ）ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍ　ａｓ　ｔｈｅ　ｂｏｔｔｏｍ　ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ　ｏｆ　ｎａ　ｅｌｃｅｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ　ｄｅｖｉｃｅｓ［Ｊ］．Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，１９９８，７３：　ｏｒｇａｎｉｃ　ｌｉｈｇｔ　ｅｍｉｔｔｉｎｇｄｉｄｏｅ［Ｊ］．１＇ｈｉｎ　Ｓｏｌｉｄ　Ｆｉｌｍｓ，２００１，４１ｌ　２７２１．２７２３．　１２．１６．　【３１　ＤＯＤＡＢＡＬＡＰＵＲ　ＢＡＯ　ｚ’ＭＡＫＨＪ１Ａ　ｅｔ　ａ１．Ｏｒｇａｎｉｃ　【ｌ１】ＩｓＨＩＩ　Ｍ＇ＭＯＲＩ　ＦｕＪＩ　，Ａ　Ｈ，ｅｔ　ａ１．Ｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔ　ｏｆ　ｓｍａｒｔ　ｐｉｘｅｌｓ［］Ｊ．Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，１９９８，７３：１４２－１４４．　ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ　ｄｅｖｉｃｅ　ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｂｙ　ｉｎ　ｓｉｔｕ　【４】ＫＩＭ　Ｈ　ＰＩＱＵＥ　Ｊ　Ｓ，ＨＯＲＷＩＴＺ，ｅｔ　ａ１．Ｉｎｄｉｕｍ　ｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ　ｐｌｓａｍａ　ｔｒｅａｔｍｅｎｔ　ｏｆ　ｎｉｄｉｕｍ－ｔｎｉ－ｏｘｉｄｅ　ｓｕｒｆａｃｅ［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｉｎ　ｉｆｌｍｓ　ｆｏｒ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｌｉｈｇｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｅｖｉｃｅｓ［］Ｊ．Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ．　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ，２Ｏ０ｏ，８７・８９：ｌ１６５－ｌ１６７．　Ｌｅｔｔ．，１　９９９，７４（２）：３４４４・３４４６．　【１２】ＬＵ　Ｄ，、Ｖｕ　Ｙ　ＧＵＯ　Ｊ，ｅｔ　１ａ．Ｓｕｒｆａｃｅｔｒｅａｔｍｅｎｔ　ｏｆｉｎｄｉｕｍｔｉｎ　【５】ＫＵＬＫＡＲＮＩ　ＡＫ，ｓＣＨＵＬｚ　Ｋ　Ｈ，ＬｌＭ　Ｔ　ｓ，ｅｔ　１ａ．Ｅｌｃｅｔｒｉｃａｌ，　ｏｘｉｄｅ　ｂｙ　ｏｘｙｇｅｎ・・ｐｌａｓｍａ　ｆｏｒ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｌｉｈｇｔ・・ｅｍｉｔｉｎｇ　ｏｐｔｉｃａｌ　ｎａｄ　ｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ　ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ　ｏｆ　ｎｉｄｉｕｍ－ｔｉｎ－ｏｘｉｄｅ　ｔｈｉｎ　ｄｉｏｄｅｓ［］Ｊ．Ｍａｔｅｉｒａｌｓ　Ｓｃｉｅｎｃｅ＆Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ　Ｂ，２００３，９７（２）：　ｉｆｌｓｍ　ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　ｏｎ　ｇｌａｓｓ　ａｎｄ　ｐｏｌｙｍｅｒ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ［］Ｊ．Ｔｈｉｎ　１４】．１４４．　Ｓｏｌｉｄ　Ｆｉｌｍｓ，１９９７，３０８－３０９：１－７．　【６】ｗＵ　Ｃ　Ｃ，ｗＵ　Ｃ　Ｉ，ｓ　瓜Ｍ　Ｊ　Ｃ，ｅｔ　ａ１．Ｓｕｒｆａｃｅ　ｍｏｄｉｉｆａｃｔｉｏｎ　编辑漆蓉