专利名称：一种可提高使用寿命的SiC涂层石墨基座专利类型：实用新型专利发明人：李西维,詹国彬申请号：CN2017202401.6申请日：20170605公开号：CN206758417U公开日：20171215
摘要：本实用新型公开了一种可提高使用寿命的SiC涂层石墨基座，包括石墨基座盘面，石墨基座盘面上设置有至少两个口袋，口袋分别设置有Tab，Tab上分别设置有侧壁Wafer支撑点，侧壁Wafer支撑点的位置分别与Tab的位置错开；其改善口袋的边缘，加大侧壁Wafer支撑点的接触面积，加强边缘的强度，能够有效的提供SiC涂层基座的寿命，适用于所有用于蓝绿光LED外延片外延生长的MOCVD反应室，提高蓝、绿光外延片的产量。
申请人：上海东洋炭素有限公司
地址：201611 上海市松江区新飞路486号
国籍：CN
代理机构：北京创遇知识产权代理有限公司
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