半导体检查方法以及半导体检查装置[发明专利]

来源：尚佳旅游分享网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：半导体检查方法以及半导体检查装置专利类型：发明专利发明人：三木研一,森野启司申请号：CN201310740365.3申请日：20131227公开号：CN104167373A公开日：20141126

摘要：本发明提供半导体检查方法以及半导体检查装置，能够通过简易的手法正确地测定在晶片上形成的多个芯片的电气特性。半导体检查方法包括：在形成有多个芯片的晶片的背面侧，粘贴绝缘薄片的工序，该绝缘薄片具有与多个芯片的位置对应地形成的多个孔；切割粘贴有绝缘薄片的晶片，在粘贴了绝缘薄片的状态下单片化为多个芯片的工序；使探测器接触到晶片上的多个芯片中的测定对象芯片的上表面的规定部位，并且使另一探测器通过绝缘薄片的对应的孔而接触到测定对象芯片的下表面，对测定对象芯片的电气特性进行测定的工序。

申请人：株式会社东芝

地址：日本东京都

国籍：JP

代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：张丽

更多信息请下载全文后查看

因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容

查看全文