基准电压产生电路[发明专利]

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专利名称：基准电压产生电路专利类型：发明专利发明人：杨光军

申请号：CN201010504725.6申请日：20101012公开号：CN101976093A公开日：20110216

摘要：一种基准电压产生电路包括：源极连接至电源电压的第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管；输出端连接至第一PMOS晶体管栅极的比较器；第一电阻器，第一连接端连接至第一PMOS晶体管的漏极，第二连接端连接至比较器的正向输入端；第二电阻器，第一连接端连接至第一PMOS晶体管的漏极，第二连接端连接至比较器的反向输入端；第三电阻器，第一连接端连接至第一PMOS晶体管的漏极，第二连接端连接至第二PMOS晶体管的漏极；第四电阻器，第一连接端连接至第二PMOS晶体管的漏极，第二连接端接地；第五电阻器，第一连接端连接至比较器的正向输入端；输出接地的第一二极管，输入端连接至第二PMOS晶体管的漏极；和输出接地的第二二极管。该基准电压产生电路具有简单、精确的优势。

申请人：上海宏力半导造有限公司

地址：201203 上海市张江高科技园区郭守敬路818号

国籍：CN

代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：郑玮

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